H11AG1SR2M

H11AG1SR2M

OPTOISO 5KV TRANS MET BASIS 6SMD
Aanvraag sturen

Beschrijving

Technische Parameters

Gerelateerde producten:

 

Mfr. onderdeel

H11AG1SM

H11AG1SR2M

H11AG1SR2VM

H11AG1SVM

Beschrijving

OPTOKOPPEL, FOTOTRANSISTOR UIT

OPTOKOPPEL, FOTOTRANSISTOR UIT

OPTOKOPPEL, FOTOTRANSISTOR UIT

OPTOKOPPEL, FOTOTRANSISTOR UIT

Voorraad

80000

80000

80000

80000

Productstatus

Actief

Actief

Actief

Actief

Spanning - Isolatie

5000Vrms

5000Vrms

5000Vrms

5000Vrms

Huidige overdrachtsverhouding (min.)

300% @ 1mA

300% @ 1mA

300% @ 1mA

300% @ 1mA

Huidige overdrachtsverhouding (max.)

-

-

-

-

In-/uitschakeltijd (type)

-

-

-

-

Invoertype

gelijkstroom

gelijkstroom

gelijkstroom

gelijkstroom

Uitvoertype

Transistor-gelijkstroom

Transistor-gelijkstroom

Transistor-gelijkstroom

Transistor-gelijkstroom

Spanning - uitgang (max.)

70V

70V

70V

70V

Stroom - Uitgang / Kanaal

150mA

150mA

150mA

150mA

Spanning - Voorwaarts (Vf) (Typ)

1.45V

1.45V

1.45V

1.45V

Stroom - DC vooruit (als) (max.)

-

-

-

-

Bedrijfstemperatuur

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

-55-C ~ 100-C

Pakket / doos

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

SMD6 (7,62 mm)

Pakket

Tape en spoel (TR)

Tape en spoel (TR)

Tape en spoel (TR)

Tape en spoel (TR)

 

Sollicitaties:

 

• CMOS-gestuurde solid-state betrouwbaarheid

• Telefoonbeldetector

• Digitale logica-isolatie

 

Algemene beschrijving:

 

Het H11AG1M-apparaat bestaat uit een gallium-aluminium-arsenide IRED-emitterende diode gekoppeld aan een siliciumfototransistor in een dubbel in-line pakket. Dit apparaat biedt het unieke kenmerk van een hoge stroomoverdrachtsverhouding bij zowel een lage uitgangsspanning als een lage ingangsstroom. Dit maakt hem ideaal voor gebruik in logische circuits met laag vermogen, telecommunicatieapparatuur en isolatietoepassingen voor draagbare elektronica.

Populaire tags: h11ag1sr2m, China h11ag1sr2m fabrikanten, leveranciers

Aanvraag sturen